STP6NC60
Obsolete - MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
STP6NC60 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45.5 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1020 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Italy
