STP100N6F7
Active - MOSFET N-CH 60V 100A TO220
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220
STP100N6F7 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
30 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1980 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Germany
