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STP100NF04

Active Icon Active - MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
STP100NF04
STP100NF04
STMicroelectronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
 
3D Model Icon

STP100NF04 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
Automotive, AEC-Q101, STripFET II
Verpackung
Tube
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
120A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5100 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3

STP100NF04 Beschreibung

Der STMicroelectronics STP100NF04 ist ein N-Kanal-MOSFET, der für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Er bietet eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit, was ihn zu einer idealen Wahl für Schaltanwendungen, Motorsteuerungen und andere Leistungsschaltungen macht. Hier sind die detaillierten Spezifikationen und Merkmale dieses Bauteils:

### Allgemeine Beschreibung
Der STP100NF04 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V und einem maximalen Drain-Strom von 100 A. Er ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Schaltgeschwindigkeit und geringe Verlustleistungen erfordern.

### Spezifikationen

- Typ: N-Kanal MOSFET
- Maximale Drain-Source-Spannung (V_DS): 40 V
- Maximaler Drain-Strom (I_D): 100 A (bei 25 °C)
- Maximale Pulsstrom (I_D,pulse): 160 A
- Gate-Source-Spannung (V_GS): ±20 V
- R_DS(on): 0,025 Ω (bei V_GS = 10 V)
- Schaltgeschwindigkeit: Hohe Schaltgeschwindigkeit, geeignet für Hochfrequenzanwendungen
- Maximale Verlustleistung (P_D): 94 W (bei 25 °C)
- Gehäuse: TO-220, was eine einfache Kühlung und Montage ermöglicht

### Elektrische Eigenschaften

- Gate-Ladung (Q_g): 67 nC (bei V_GS = 10 V)
- Eingangskapazität (C_iss): 1500 pF (bei V_DS = 25 V)
- Ausgangskapazität (C_oss): 200 pF (bei V_DS = 25 V)
- Rückwärtskapazität (C_rss): 50 pF (bei V_DS = 25 V)

### Thermische Eigenschaften

- Maximale Betriebstemperatur: 175 °C
- Thermischer Widerstand (R_thJC): 1,5 °C/W (Junction to Case)
- Thermischer Widerstand (R_thJA): 62,5 °C/W (Junction to Ambient)

### Anwendungen

Der STP100NF04 ist vielseitig einsetzbar und eignet sich für verschiedene Anwendungen, darunter:

- Schaltregler: Verwendung in DC-DC-Wandlern und Buck-Konvertern.
- Motorsteuerungen: Ideal für die Ansteuerung von Gleichstrommotoren und Schrittmotoren.
- Hochfrequenzanwendungen: Aufgrund seiner hohen Schaltgeschwindigkeit geeignet für RF-Anwendungen.
- Leistungsumwandlung: Verwendung in Wechselrichtern und anderen Leistungselektronikschaltungen.

### Gehäuseoptionen

Der STP100NF04 ist in einem TO-220-Gehäuse erhältlich, das eine einfache Montage und eine effektive Wärmeableitung ermöglicht. Dieses Gehäuse ist besonders vorteilhaft in Anwendungen, bei denen eine hohe Leistung und eine effiziente Kühlung erforderlich sind.

### Fazit

Der STMicroelectronics STP100NF04 ist ein leistungsstarker und zuverlässiger N-Kanal-MOSFET, der sich durch seine hohe Effizienz und Vielseitigkeit auszeichnet. Mit seinen hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften ist er eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler, die nach einer robusten Lösung für ihre Leistungselektronik-Anwendungen suchen.

STP100NF04 Inventar: 46230

Geschichte Preis
$3.50000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Laura Salmi
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
Author Icon
Ville Räsänen
Location Icon Finland
5 stars
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
Author Icon
Asher King
Location Icon United States
5 stars
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
Author Icon
Naomi Thompson
Location Icon United States
5 stars
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar

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