STP24N60M6
Active - MOSFET N-CH 600V TO220
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V TO220
STP24N60M6 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
17A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4.75V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
960 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Netherlands
