STP28N60M2
Active - MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
STP28N60M2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
24A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
37 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1370 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Spain
