STP10LN80K5
Active - MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
STP10LN80K5 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
630mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 100μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
427 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Spain
