STP12NM50
Active - MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
STP12NM50 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 50μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
39 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1000 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
STP12NM50 Inventar: 29370
5.0 / 5.0
2023-03-24 11:36
Wie immer bin ich mit diesem Verkäufer zufrieden Vielen Dank
2023-03-23 22:53
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt
2023-03-23 13:21
Reibungsloses Arbeiten, danke
2023-03-22 19:30
Ich bin sehr zufrieden
2023-03-24 00:36
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