STP11NM80

Active - MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
STP11NM80 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43.6 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1630 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
STP11NM80 Beschreibung
Der STMicroelectronics STP11NM80 ist ein N-Kanal-MOSFET, der für Hochleistungsanwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Dieser Transistor bietet eine hervorragende Leistung und Effizienz, was ihn zu einer idealen Wahl für verschiedene Anwendungen in der Industrie und im Automobilbereich macht.
### Hauptmerkmale
1. N-Kanal-MOSFET: Der STP11NM80 ist ein N-Kanal-MOSFET, der eine hohe Stromtragfähigkeit und eine niedrige Durchlassspannung bietet. Dies ermöglicht eine effiziente Steuerung von Lasten in verschiedenen Schaltungen.
2. Hochspannung: Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung (V_DS) von 800 V ist der STP11NM80 für Anwendungen geeignet, die hohe Spannungen erfordern, wie z.B. in der Stromversorgungstechnik und in Wechselrichtern.
3. Hohe Stromtragfähigkeit: Der MOSFET kann einen maximalen Drain-Strom (I_D) von bis zu 11 A führen, was ihn für Anwendungen mit hohen Stromanforderungen prädestiniert.
4. Niedrige R_DS(on): Der STP11NM80 bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand (R_DS(on)), typischerweise 0,5 Ω bei V_GS = 10 V. Dies führt zu geringeren Verlusten und einer höheren Effizienz in der Schaltung.
5. Schnelle Schaltzeiten: Der MOSFET zeichnet sich durch schnelle Schaltzeiten aus, was ihn für Anwendungen geeignet macht, die hohe Schaltfrequenzen erfordern, wie z.B. in Schaltnetzteilen und Motorsteuerungen.
6. Gehäuse: Der STP11NM80 ist im TO-220-Gehäuse untergebracht, das eine einfache Montage und eine gute Wärmeableitung ermöglicht.
### Technische Spezifikationen
- Typ: N-Kanal-MOSFET
- Maximale Drain-Source-Spannung (V_DS): 800 V
- Maximaler Drain-Strom (I_D): 11 A
- R_DS(on): Typisch 0,5 Ω bei V_GS = 10 V
- Gate-Source-Spannung (V_GS): ±20 V
- Betriebstemperatur: -55 °C bis +150 °C
- Gehäuse: TO-220
### Anwendungen
Der STP11NM80 eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter:
- Schaltnetzteile: Verwendung in Netzteilen zur Umwandlung von Wechselstrom in Gleichstrom mit hoher Effizienz.
- Motorsteuerungen: Einsatz in Antriebssteuerungen für Gleichstrom- und Wechselstrommotoren.
- Hochspannungsanwendungen: Ideal für Anwendungen, die hohe Spannungen erfordern, wie z.B. in der Photovoltaik und in der industriellen Automatisierung.
- Energieumwandlung: Verwendung in Wechselrichtern und anderen Energieumwandlungsanwendungen.
### Fazit
Der STMicroelectronics STP11NM80 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET, der sich durch seine hohe Spannungs- und Stromtragfähigkeit sowie seine Effizienz auszeichnet. Er ist eine ausgezeichnete Wahl für Ingenieure und Entwickler, die zuverlässige und leistungsfähige Lösungen für ihre Anwendungen in der Leistungselektronik suchen. Mit seinen umfangreichen Spezifikationen und Funktionen ist der STP11NM80 ideal für eine Vielzahl von industriellen und kommerziellen Anwendungen.