STP11NM60N
Obsolete - MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
STP11NM60N Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
31 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
850 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
STP11NM60N Inventar: 22160
5.0 / 5.0
2019-08-08 08:19
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2019-06-01 03:19
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2019-11-23 08:30
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2019-10-26 11:10
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2019-08-20 06:09
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