C4D10120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2
C4D10120E Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
33A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.8 V @ 10 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
250 μA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F
754pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252-2
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
C4D10120E Inventar: 36260
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Finland
