C4D08120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252
C4D08120E Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
24.5A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
3 V @ 2 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
250 μA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F
560pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252-2
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
C4D08120E Inventar: 11270
5.0 / 5.0
2023-03-24 11:36
Wie immer bin ich mit diesem Verkäufer zufrieden Vielen Dank
2023-03-23 22:53
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt
2023-03-23 13:21
Reibungsloses Arbeiten, danke
2023-03-22 19:30
Ich bin sehr zufrieden
2023-03-24 00:36
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