C4D02120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2
C4D02120E Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.8 V @ 2 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F
167pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252-2
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
C4D02120E Inventar: 11290
5.0 / 5.0
2023-03-23 23:34
Professionelle Herstellung und schnelle delivery__Excellent Qualität und functionality__Continue, again__Thank Sie zu empfehlen und willkommen zu heißen
2023-03-21 03:07
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2023-03-21 13:11
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2023-03-22 09:19
Großartig! Alle kamen in nur 10gg an. Empfohlen
2023-03-25 02:54
Alle bestens. Danke
Germany
