C4D05120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2
C4D05120E Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
19A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.8 V @ 5 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
150 μA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F
390pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252-2
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
C4D05120E Inventar: 30720
5.0 / 5.0
2023-04-17 10:01
Alles in Ordnung! Guter Verkäufer
2023-04-16 07:52
Wie versprochen schneller Versender Original-Komponente! Sehr schneller Kommunikator!
2023-04-11 13:26
Alles war gut, sehr schneller Versand, zufrieden mit dem Kauf
2023-04-16 21:02
Nur 78M05 getestet: OK.
2023-04-16 05:39
Ich habe den Artikel schnell erhalten. Bestellen Sie gut verpackt. Das Produkt entspricht der Beschreibung. Der Verkäufer meint es ernst. Ich empfehle es.
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