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K4EBE304ED-EGCG

Active Icon EOL - IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
K4EBE304ED-EGCG
K4EBE304ED-EGCG
Samsung Semiconductor
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Kategorie:
Datenblatt:
Beschreibung:
IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
 
3D Model Icon

K4EBE304ED-EGCG Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Kategorie
Reihe
-
Verpackung
Tray
Produktstatus
EOL
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
LPDDR3
Speichergröße
32 Gb
Speicherorganisation
x32
Speicherschnittstelle
Parallel
Taktfrequenz
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
-
Spannung - Versorgung
1.8 / 1.2 / 1.2 V
Betriebstemperatur
-25 ~ 85 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
178 FBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
178 FBGA

K4EBE304ED-EGCG Beschreibung

Der Samsung Semiconductor K4EBE304ED-EGCG ist ein hochentwickelter DRAM-Speicherchip, der speziell für mobile Anwendungen konzipiert wurde. Dieser Baustein gehört zur Familie der LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) SDRAMs und bietet eine Kombination aus hoher Leistung, Energieeffizienz und kompakter Bauweise, die ihn ideal für Smartphones, Tablets und andere tragbare Geräte macht.

### Allgemeine Beschreibung
Der K4EBE304ED-EGCG ist ein 4-Gigabit (Gb) DRAM-Speicherchip, der in einem kompakten BGA-Gehäuse (Ball Grid Array) untergebracht ist. Er unterstützt eine Vielzahl von Funktionen, die für moderne mobile Anwendungen erforderlich sind, einschließlich schneller Datenübertragungsraten und niedriger Betriebsspannungen.

### Spezifikationen

- Typ: LPDDR3 SDRAM
- Kapazität: 4 Gb (Gigabit)
- Datenbreite: 16 Bit
- Maximale Datenrate: 1600 MT/s (Megatransfers pro Sekunde)
- Betriebsspannung: 1.2 V (typisch)
- Temperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
- Gehäuse: BGA (Ball Grid Array), typischerweise 8 mm x 8 mm
- Zugriffszeit: 20 ns (typisch)
- Burst-Länge: 8

### Eigenschaften

- Hohe Leistung: Mit einer maximalen Datenrate von 1600 MT/s ermöglicht der K4EBE304ED-EGCG schnelle Datenübertragungen, die für anspruchsvolle Anwendungen erforderlich sind.
- Energieeffizienz: Der Betrieb bei nur 1.2 V sorgt für einen geringen Stromverbrauch, was besonders wichtig für mobile Geräte ist, die auf eine lange Akkulaufzeit angewiesen sind.
- Kompakte Bauweise: Das BGA-Gehäuse ermöglicht eine platzsparende Integration auf Leiterplatten, was für moderne, schlanke Geräte von Vorteil ist.
- Zuverlässigkeit: Der DRAM-Chip ist für den Einsatz in einer Vielzahl von Umgebungen ausgelegt und bietet eine hohe Temperaturbeständigkeit, was ihn für verschiedene Anwendungen geeignet macht.

### Anwendungen
Der Samsung K4EBE304ED-EGCG wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter:
- Smartphones und Tablets
- Laptops und Ultrabooks
- Digitalkameras
- Wearable-Technologien
- IoT-Geräte (Internet of Things)

### Fazit
Der Samsung Semiconductor K4EBE304ED-EGCG ist ein leistungsstarker und effizienter DRAM-Speicherchip, der sich durch seine hohe Kapazität, schnelle Datenübertragungsraten und Energieeffizienz auszeichnet. Er ist eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler und Ingenieure, die moderne mobile Anwendungen realisieren möchten. Mit seinen umfangreichen Spezifikationen und vielseitigen Anwendungen ist der K4EBE304ED-EGCG ein unverzichtbares Bauteil in der heutigen Elektronik.

K4EBE304ED-EGCG Inventar: 25700

Geschichte Preis
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen
Author Icon
Lotte van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!
Author Icon
Hugo
Location Icon Spain
5 stars
2021-12-23 03:52
Alles klar. Rechtzeitig eingegangen
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.
Author Icon
Katharina Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2021-08-04 23:28
2 Wochen für die Lieferung. Die Chips funktionieren einwandfrei

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