K4EBE304ED-EGCG

EOL - IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
Beschreibung:
IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
K4EBE304ED-EGCG Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Spannung - Versorgung
1.8 / 1.2 / 1.2 V
Betriebstemperatur
-25 ~ 85 ℃
Gehäusetyp vom Lieferanten
178 FBGA
K4EBE304ED-EGCG Beschreibung
Der Samsung Semiconductor K4EBE304ED-EGCG ist ein hochentwickelter DRAM-Speicherchip, der speziell für mobile Anwendungen konzipiert wurde. Dieser Baustein gehört zur Familie der LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) SDRAMs und bietet eine Kombination aus hoher Leistung, Energieeffizienz und kompakter Bauweise, die ihn ideal für Smartphones, Tablets und andere tragbare Geräte macht.
### Allgemeine Beschreibung
Der K4EBE304ED-EGCG ist ein 4-Gigabit (Gb) DRAM-Speicherchip, der in einem kompakten BGA-Gehäuse (Ball Grid Array) untergebracht ist. Er unterstützt eine Vielzahl von Funktionen, die für moderne mobile Anwendungen erforderlich sind, einschließlich schneller Datenübertragungsraten und niedriger Betriebsspannungen.
### Spezifikationen
- Typ: LPDDR3 SDRAM
- Kapazität: 4 Gb (Gigabit)
- Datenbreite: 16 Bit
- Maximale Datenrate: 1600 MT/s (Megatransfers pro Sekunde)
- Betriebsspannung: 1.2 V (typisch)
- Temperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
- Gehäuse: BGA (Ball Grid Array), typischerweise 8 mm x 8 mm
- Zugriffszeit: 20 ns (typisch)
- Burst-Länge: 8
### Eigenschaften
- Hohe Leistung: Mit einer maximalen Datenrate von 1600 MT/s ermöglicht der K4EBE304ED-EGCG schnelle Datenübertragungen, die für anspruchsvolle Anwendungen erforderlich sind.
- Energieeffizienz: Der Betrieb bei nur 1.2 V sorgt für einen geringen Stromverbrauch, was besonders wichtig für mobile Geräte ist, die auf eine lange Akkulaufzeit angewiesen sind.
- Kompakte Bauweise: Das BGA-Gehäuse ermöglicht eine platzsparende Integration auf Leiterplatten, was für moderne, schlanke Geräte von Vorteil ist.
- Zuverlässigkeit: Der DRAM-Chip ist für den Einsatz in einer Vielzahl von Umgebungen ausgelegt und bietet eine hohe Temperaturbeständigkeit, was ihn für verschiedene Anwendungen geeignet macht.
### Anwendungen
Der Samsung K4EBE304ED-EGCG wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter:
- Smartphones und Tablets
- Laptops und Ultrabooks
- Digitalkameras
- Wearable-Technologien
- IoT-Geräte (Internet of Things)
### Fazit
Der Samsung Semiconductor K4EBE304ED-EGCG ist ein leistungsstarker und effizienter DRAM-Speicherchip, der sich durch seine hohe Kapazität, schnelle Datenübertragungsraten und Energieeffizienz auszeichnet. Er ist eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler und Ingenieure, die moderne mobile Anwendungen realisieren möchten. Mit seinen umfangreichen Spezifikationen und vielseitigen Anwendungen ist der K4EBE304ED-EGCG ein unverzichtbares Bauteil in der heutigen Elektronik.
K4EBE304ED-EGCG Inventar: 25700
5.0 / 5.0

2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen

2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!

2021-12-23 03:52
Alles klar. Rechtzeitig eingegangen

2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.

2021-08-04 23:28
2 Wochen für die Lieferung. Die Chips funktionieren einwandfrei