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K4EBE304EC-EGCG

EOL - IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps

Hersteller:

Samsung Semiconductor

Hersteller-Teil #

K4EBE304EC-EGCG

Kategorie:

Speicher

Datenblatt:

K4EBE304EC-EGCG

Beschreibung:

IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps

K4EBE304EC-EGCG Spezifikation

Produkt-Attribut

Attributwert

Kategorie

Speicher

Hersteller

Samsung Semiconductor

Reihe

-

Verpackung

Tray

Produktstatus

EOL

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

LPDDR3

Speichergröße

32 Gb

Speicherorganisation

x32

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8 / 1.2 / 1.2 V

Betriebstemperatur

-25 ~ 85 ℃

Montagetyp

Surface Mount

Gehäuse / Hülle

178 FBGA

Gehäusetyp vom Lieferanten

178 FBGA

K4EBE304EC-EGCG Inventar: 1900

Geschichte Preis

0

5.0 / 5.0

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

Gutes Produkt und funktionieren korrekt.

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

Gut angekommen, noch nicht getestet

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen

K4EBE304EC-EGCG

K4EBE304EC-EGCG Spezifikation

K4EBE304EC-EGCG Inventar: 1900

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