K3KL5L50DM-BGCU

Active - IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 8533 Mbps
Beschreibung:
IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 8533 Mbps
K3KL5L50DM-BGCU Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Spannung - Versorgung
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
Betriebstemperatur
-25 ~ 85 ℃
Gehäusetyp vom Lieferanten
496 FBGA
K3KL5L50DM-BGCU Beschreibung
Der Samsung Semiconductor K3KL5L50DM-BGCU ist ein hochentwickelter NAND-Flash-Speicherchip, der für verschiedene Anwendungen in der Elektronikindustrie konzipiert wurde. Dieser Chip gehört zur Familie der 3D NAND-Flash-Speicher und bietet eine Vielzahl von Funktionen und Spezifikationen, die ihn für moderne Anwendungen geeignet machen.
### Allgemeine Spezifikationen
- Speicherkapazität: 64 Gigabit (Gb) oder 8 Gigabyte (GB)
- Technologie: 3D NAND Flash
- Betriebsspannung: 2,7 V bis 3,6 V
- Zugriffszeit: Typischerweise 25 µs für Leseoperationen
- Datenbreite: 8 Bit
- Temperaturbereich: -40 °C bis +85 °C (Industrie-Temperaturbereich)
### Funktionale Merkmale
1. Hohe Speicherdichte: Der K3KL5L50DM-BGCU nutzt 3D NAND-Technologie, die eine höhere Speicherdichte ermöglicht und gleichzeitig die Leistung verbessert. Dies führt zu einer besseren Effizienz und geringeren Kosten pro Gigabyte.
2. Schnelle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten: Der Chip bietet hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeiten, die für Anwendungen wie mobile Geräte, SSDs (Solid State Drives) und andere Speicherlösungen entscheidend sind.
3. Energieeffizienz: Der K3KL5L50DM-BGCU ist so konzipiert, dass er bei minimalem Stromverbrauch arbeitet, was ihn ideal für tragbare und batteriebetriebene Geräte macht.
4. Zuverlässigkeit und Langlebigkeit: Mit einer hohen Anzahl von Programmier- und Löschzyklen (typischerweise bis zu 3.000 Zyklen) ist der Chip für den langfristigen Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen geeignet.
5. Fehlerkorrektur (ECC): Der Chip unterstützt fortschrittliche Fehlerkorrekturmechanismen, um die Datenintegrität zu gewährleisten und die Auswirkungen von Bitfehlern zu minimieren.
### Anwendungsbereiche
Der K3KL5L50DM-BGCU findet Anwendung in einer Vielzahl von Bereichen, darunter:
- Mobile Geräte: In Smartphones und Tablets zur Speicherung von Betriebssystemen, Anwendungen und Benutzerdaten.
- Solid State Drives (SSDs): Für die Verwendung in Hochleistungs-SSDs, die in Laptops und Desktop-Computern eingesetzt werden.
- Consumer Electronics: In Geräten wie Smart-TVs, Set-Top-Boxen und anderen Unterhaltungselektronikprodukten.
- Industrielle Anwendungen: In Automatisierungssystemen und industriellen Steuerungen zur Datenspeicherung.
### Gehäuseoptionen
Der Chip ist in verschiedenen Gehäuseformaten erhältlich, darunter:
- BGA (Ball Grid Array): Ein kompaktes Gehäuse, das eine hohe Packungsdichte ermöglicht und eine einfache Integration in Leiterplatten bietet.
### Fazit
Der Samsung Semiconductor K3KL5L50DM-BGCU ist ein leistungsstarker und vielseitiger NAND-Flash-Speicherchip, der sich durch seine hohe Speicherkapazität, schnelle Zugriffszeiten und Energieeffizienz auszeichnet. Mit seinen robusten Spezifikationen und Funktionen ist er eine ausgezeichnete Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen in der modernen Elektronik.
K3KL5L50DM-BGCU Inventar: 24750
5.0 / 5.0

2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.

2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen

2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!

2021-12-23 03:52
Alles klar. Rechtzeitig eingegangen

2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.