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K3KL5L50CM-BGCU

Active Icon Active - IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 8533 Mbps
K3KL5L50CM-BGCU
K3KL5L50CM-BGCU
Samsung Semiconductor
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Kategorie:
Datenblatt:
Beschreibung:
IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 8533 Mbps
 
3D Model Icon

K3KL5L50CM-BGCU Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Kategorie
Reihe
-
Verpackung
Tray
Produktstatus
Active
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
LPDDR5X
Speichergröße
128 Gb
Speicherorganisation
x64
Speicherschnittstelle
Parallel
Taktfrequenz
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
-
Spannung - Versorgung
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
Betriebstemperatur
-25 ~ 85 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
496 FBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
496 FBGA

K3KL5L50CM-BGCU Beschreibung

Der Samsung Semiconductor K3KL5L50CM-BGCU ist ein NAND-Flash-Speicherchip, der in verschiedenen Anwendungen eingesetzt wird, darunter mobile Geräte, Tablets und andere elektronische Produkte. Hier sind die detaillierten Spezifikationen und Merkmale dieses Bauteils:

### Allgemeine Spezifikationen:
- Typ: NAND Flash Speicher
- Kapazität: 64 GB (Gigabyte)
- Technologie: 3D NAND (V-NAND)
- Formfaktor: BGA (Ball Grid Array)

### Technische Spezifikationen:
- Spannungsbereich: 2.7V bis 3.6V
- Schnittstelle: ONFI (Open NAND Flash Interface) 4.0
- Lesegeschwindigkeit: Bis zu 400 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 200 MB/s
- Zugriffszeit: Typisch 25 µs (Mikrosekunden) für Lesevorgänge

### Leistungsmerkmale:
- Energieverbrauch:
- Aktiver Betrieb: 100 mA (Milliamperes)
- Standby: 10 µA (Mikroamperes)
- Temperaturbereich:
- Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
- Lagertemperatur: -55°C bis +125°C

### Zuverlässigkeit:
- Programmierzyklen: Bis zu 3000 Zyklen
- Datenretention: 10 Jahre bei 25°C
- ECC (Error Correction Code): Unterstützt zur Fehlerkorrektur und zur Verbesserung der Datensicherheit

### Anwendungen:
Der K3KL5L50CM-BGCU wird häufig in folgenden Bereichen eingesetzt:
- Smartphones und Tablets
- Digitalkameras
- SSDs (Solid State Drives)
- Embedded Systems

### Vorteile:
- Hohe Speicherdichte: Durch die Verwendung von 3D NAND-Technologie kann eine höhere Speicherkapazität auf kleinerem Raum erreicht werden.
- Zuverlässigkeit: Mit einer hohen Anzahl an Programmierzyklen und einer langen Datenretention ist dieser Speicherchip ideal für kritische Anwendungen.
- Energieeffizienz: Der niedrige Energieverbrauch im Standby-Modus macht ihn besonders geeignet für mobile Geräte, wo Batterielebensdauer entscheidend ist.

### Fazit:
Der Samsung Semiconductor K3KL5L50CM-BGCU ist ein leistungsstarker und zuverlässiger NAND-Flash-Speicherchip, der sich durch seine hohe Kapazität, Geschwindigkeit und Energieeffizienz auszeichnet. Er ist eine ausgezeichnete Wahl für moderne elektronische Geräte, die hohe Anforderungen an Speicherlösungen stellen.

K3KL5L50CM-BGCU Inventar: 8660

Geschichte Preis
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Danuta Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2021-08-12 12:06
IGBT-Transistoren nicht erkannt SA für Testerach neben plus t7-h, in tescie für przelaczanie mit-12V für E plus zarowka gespeist 12V für C getriggert Finger mit Plus, zalancza mit-wylancza. Sehr schnelle wysylka, schnelle Lieferung, Produkt gut jakosci, sehr wir
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Gutes Produkt und funktionieren korrekt.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Gut angekommen, noch nicht getestet
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.

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