K3KL3L30DM-BGCU

Active - IC DRAM LPDDR5X 64 Gb 8533 Mbps
Beschreibung:
IC DRAM LPDDR5X 64 Gb 8533 Mbps
K3KL3L30DM-BGCU Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Spannung - Versorgung
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
Betriebstemperatur
-25 ~ 85 ℃
Gehäusetyp vom Lieferanten
496 FBGA
K3KL3L30DM-BGCU Beschreibung
Der Samsung Semiconductor K3KL3L30DM-BGCU ist ein hochentwickelter NAND-Flash-Speicher, der für verschiedene Anwendungen in der Elektronikindustrie konzipiert wurde. Dieser Speicherchip bietet eine Kombination aus hoher Speicherkapazität, schneller Datenübertragungsrate und Zuverlässigkeit, was ihn ideal für den Einsatz in Smartphones, Tablets, Laptops und anderen tragbaren Geräten macht.
### Allgemeine Beschreibung
Der K3KL3L30DM-BGCU ist ein 3D NAND-Flash-Speicher, der die Vorteile der 3D-Technologie nutzt, um eine höhere Speicherdichte und verbesserte Leistung zu bieten. Die 3D-NAND-Technologie ermöglicht es, Speicherzellen vertikal zu stapeln, was die Effizienz erhöht und den Platzbedarf verringert. Dies führt zu einer besseren Leistung und einer längeren Lebensdauer des Speichers.
### Spezifikationen
1. Speicherkapazität:
- Der K3KL3L30DM-BGCU bietet eine Speicherkapazität von 128 GB, was ausreichend Platz für Anwendungen, Multimedia-Inhalte und Daten bietet.
2. Technologie:
- 3D NAND-Flash-Technologie, die eine höhere Dichte und verbesserte Leistung im Vergleich zu herkömmlichem 2D NAND bietet.
3. Schnittstelle:
- Unterstützt die eMMC (embedded MultiMediaCard) 5.1-Schnittstelle, die eine schnelle Datenübertragung und eine einfache Integration in verschiedene Geräte ermöglicht.
4. Lesegeschwindigkeit:
- Maximale Lesegeschwindigkeit von bis zu 400 MB/s, was eine schnelle Datenzugriffszeit gewährleistet.
5. Schreibgeschwindigkeit:
- Maximale Schreibgeschwindigkeit von bis zu 150 MB/s, ideal für das Speichern von großen Datenmengen und Multimedia-Inhalten.
6. Betriebstemperatur:
- Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +85 °C, was den Einsatz in verschiedenen Umgebungen ermöglicht.
7. Zuverlässigkeit:
- Unterstützt Funktionen wie Wear Leveling und Error Correction Code (ECC), um die Lebensdauer und Zuverlässigkeit des Speichers zu erhöhen.
8. Formfaktor:
- Kompakte Bauform, die eine einfache Integration in verschiedene Geräte ermöglicht.
### Anwendungen
Der Samsung K3KL3L30DM-BGCU wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter:
- Smartphones und Tablets: Für die Speicherung von Betriebssystemen, Anwendungen und Benutzerdaten.
- Laptops und Ultrabooks: Als interner Speicher für schnelle Boot- und Ladezeiten.
- Digitale Kameras: Zur Speicherung von hochauflösenden Bildern und Videos.
- IoT-Geräte: In vernetzten Geräten, die eine zuverlässige und schnelle Datenspeicherung erfordern.
### Fazit
Der Samsung Semiconductor K3KL3L30DM-BGCU ist ein leistungsstarker NAND-Flash-Speicher, der durch seine hohe Speicherkapazität, schnelle Datenübertragungsraten und Zuverlässigkeit besticht. Mit der 3D NAND-Technologie und der Unterstützung für die eMMC-Schnittstelle ist er eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler und Hersteller, die innovative und leistungsfähige Speicherlösungen für moderne elektronische Geräte suchen.
K3KL3L30DM-BGCU Inventar: 12850
5.0 / 5.0

2021-07-09 02:45
Gut angekommen, noch nicht getestet

2021-12-03 00:22
Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.

2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.

2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen

2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!