RM2N650LD
Active - MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO252-2
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO252-2
RM2N650LD Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
190 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
23W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252-2
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RM2N650LD Inventar: 33160
5.0 / 5.0
2023-04-18 09:27
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-04-17 10:01
Alles in Ordnung! Guter Verkäufer
2023-04-16 07:52
Wie versprochen schneller Versender Original-Komponente! Sehr schneller Kommunikator!
2023-04-11 13:26
Alles war gut, sehr schneller Versand, zufrieden mit dem Kauf
2023-04-16 21:02
Nur 78M05 getestet: OK.
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