RM2305
Active - MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23
RM2305 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3A (Ta), 4.1A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
52mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
740 pF @ 4 V
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RM2305 Inventar: 11650
5.0 / 5.0
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.
France
