RM2310
Active - MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
RM2310 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
105mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.9V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
247 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RM2310 Inventar: 11630
5.0 / 5.0
2023-03-21 11:41
Absolut perfekt. Sehr schnell. Vielen Dank
2023-03-23 04:51
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2023-03-23 23:34
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2023-03-21 03:07
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2023-03-21 13:11
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