FDN358P
Active - MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
FDN358P Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1.5A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5.6 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
182 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN358P Inventar: 32650
5.0 / 5.0
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.
2023-03-22 01:07
Konformes Produkt (noch nicht getestet). Schnelles und sauberes Versenden. Verkäufer zu empfehlen. Vielen Dank. Vielen Dank.
2023-03-24 11:36
Wie immer bin ich mit diesem Verkäufer zufrieden Vielen Dank
France
