FDN306P
Active - MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
FDN306P Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2.6A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1.8V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1138 pF @ 6 V
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN306P Inventar: 10720
5.0 / 5.0
2023-02-26 01:48
Alles in Ordnung, danke
2023-02-10 13:39
Andere als die bestellten integrierten Schaltkreise sind eingetroffen.
2023-02-26 01:48
Alles in Ordnung, danke
2022-11-02 23:28
Alles in Ordnung, aber Versand über 3 Monate. Von welchen Straci?em-Kunden in repair.__recommend.
2023-02-25 10:28
Sie kamen in einwandfreiem Zustand an, man muss es nur probieren
Spain
