FDN336P
Active - MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
FDN336P Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1.3A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
330 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN336P Inventar: 38480
5.0 / 5.0
2023-03-02 09:50
Alles ist in Ordnung. Schnelle Lieferzeit, 21 Tage ab Kauf.
2023-03-02 10:57
Ok danke
2023-03-02 13:37
Der erhaltene Artikel war das, was ich bestellt habe.
2023-03-02 10:57
Ok danke
2023-03-01 17:50
Hat den Trick gemacht. Wurde für einen ESP8266 Breakout-Board-Spannungsregler verwendet.
Poland
