FDN339AN
Active - MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
FDN339AN Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
10 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
700 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN339AN Inventar: 4640
5.0 / 5.0
2023-04-11 18:34
OK mehr Pas-Test
2023-04-18 09:27
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-04-17 10:01
Alles in Ordnung! Guter Verkäufer
2023-04-16 07:52
Wie versprochen schneller Versender Original-Komponente! Sehr schneller Kommunikator!
2023-04-11 13:26
Alles war gut, sehr schneller Versand, zufrieden mit dem Kauf
France
