FDC855N
Active - MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
FDC855N Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6.1A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
27mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
655 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SuperSOT?-6
Gehäuse / Hülle
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC855N Inventar: 36640
5.0 / 5.0
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
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