FDC2612
Active - MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
FDC2612 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1.1A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
725mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
234 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SuperSOT?-6
Gehäuse / Hülle
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC2612 Inventar: 29600
5.0 / 5.0
2023-02-01 08:44
Alles ist in Ordnung.
2023-02-03 02:17
Ausgezeichnet, gute Qualität, schnelle Quittung empfehlen.
2023-02-01 12:02
Perfekt, es ist okay. Danke
2023-02-02 04:43
Tolles Produkt, zuverlässiger Verkäufer!
2023-02-03 05:51
sieht OK aus. Es hat über 2 Monate gedauert, bis es ankam.
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