FDC640P
Active - MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
FDC640P Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4.5A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
890 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SuperSOT?-6
Gehäuse / Hülle
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC640P Inventar: 17530
5.0 / 5.0
2023-01-31 15:11
Paket kam in 2 Wochen an, getestet OK.
2023-01-17 04:36
Großes Dankeschön
2023-01-28 23:15
Alle kamen in gutem Zustand. Testen zu einem späteren Zeitpunkt.
2023-01-28 01:00
Alles korrekt und kam schnell
2023-01-28 03:22
Das Paket ist angekommen. Alles ist in Ordnung. Das Element, das der Beschreibung entspricht. Vielen Dank für die Transaktion.
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