FDC655BN
Active - MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
FDC655BN Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6.3A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
570 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SuperSOT?-6
Gehäuse / Hülle
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC655BN Inventar: 21120
5.0 / 5.0
2023-04-18 09:24
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-04-12 05:54
Ich bin sehr zufrieden mit der Lieferzeit, wenn man bedenkt, dass das Material aus China verschickt wurde.<br>Darüber hinaus wurden die Produkte hervorragend verpackt
2022-11-14 05:09
Geprüft, voll funktionsfähig
2023-04-14 23:38
Colis re
2023-04-13 06:43
Die Kontrollen wurden gut angenommen. Sogar einen mehr als geplant. Gerne wieder.
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