FDC606P
Active - MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
FDC606P Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1.8V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
26mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1699 pF @ 6 V
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SuperSOT?-6
Gehäuse / Hülle
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC606P Inventar: 25760
5.0 / 5.0
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
Italy
