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2N7002

Active Icon Active - MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
2N7002
2N7002
onsemi
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
 
3D Model Icon

2N7002 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
115mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Vgs (Max.)
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2N7002 Beschreibung

Der 2N7002 ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), der von STMicroelectronics hergestellt wird. Er ist bekannt für seine Vielseitigkeit und wird häufig in verschiedenen Anwendungen eingesetzt, darunter Schaltanwendungen, Verstärker und digitale Schaltungen. Hier sind einige detaillierte Informationen und Spezifikationen zu diesem Bauteil:

### Allgemeine Beschreibung
Der 2N7002 ist ein kleiner, leistungsfähiger MOSFET, der in einem TO-92-Gehäuse untergebracht ist. Er bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Durchlassspannung, was ihn ideal für Anwendungen macht, bei denen Effizienz und Leistung wichtig sind.

### Spezifikationen
- Typ: N-Kanal MOSFET
- Maximale Drain-Source-Spannung (V_DS): 60 V
- Maximaler Drain-Strom (I_D): 200 mA
- Maximale Gate-Source-Spannung (V_GS): ±20 V
- Durchlassspannung (V_DS(on)): Typisch 2 V bei I_D = 100 mA
- Gate-Threshold-Spannung (V_GS(th)): 2 V bis 4 V
- Transkonduktanz (g_fs): Typisch 1.5 S bei V_DS = 10 V, I_D = 100 mA
- Eingangskapazität (C_iss): Typisch 60 pF bei V_DS = 25 V
- Ausgangskapazität (C_oss): Typisch 20 pF bei V_DS = 25 V
- R_DS(on): Maximal 0.5 Ω bei V_GS = 10 V, I_D = 100 mA

### Anwendungen
Der 2N7002 wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter:
- Schaltanwendungen in der Leistungselektronik
- Signalverstärkung in analogen Schaltungen
- Digitale Schaltungen, wie z.B. Logikgatter und Schalter
- Treiber für Relais und andere Lasten

### Vorteile
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: Der 2N7002 kann schnell zwischen den Zuständen umschalten, was ihn ideal für Hochfrequenzanwendungen macht.
- Kompakte Bauform: Das TO-92-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in verschiedene Schaltungen.
- Geringer Platzbedarf: Aufgrund seiner kleinen Größe kann der 2N7002 in platzkritischen Anwendungen eingesetzt werden.

### Fazit
Der 2N7002 von STMicroelectronics ist ein vielseitiger und leistungsfähiger N-Kanal-MOSFET, der sich durch seine hohe Effizienz und schnelle Schaltgeschwindigkeit auszeichnet. Mit seinen umfangreichen Spezifikationen und Anwendungen ist er eine ausgezeichnete Wahl für Ingenieure und Entwickler, die zuverlässige Leistung in ihren Schaltungen benötigen.

2N7002 Inventar: 20150

Geschichte Preis
$0.38000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Andrius Gintaras
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-08-07 08:03
Alle erhaltenen IGBT-Transitoren sind von guter Qualität.
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Sophie Bakker
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-07-13 07:14
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Christopher Lee
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2021-04-11 13:16
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Célia Marchand
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2021-08-19 11:17
Ausgezeichneter Verkäufer sehr schneller Versand
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Karen Martin
Location Icon United States
5 stars
2021-11-10 21:58
Sie sehen toll aus, empfohlener Verkäufer, ich komme sehr schnell an, vielen Dank

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