2N7000

Der STMicroelectronics 2N7000 ist ein N-Kanal-MOSFET, der häufig in verschiedenen elektronischen Anwendungen eingesetzt wird. Er ist bekannt für seine Vielseitigkeit, Zuverlässigkeit und hervorragenden elektrischen Eigenschaften. Hier sind die detaillierten Spezifikationen und Eigenschaften des 2N7000:

### Allgemeine Spezifikationen:
- Typ: N-Kanal-MOSFET
- Hersteller: STMicroelectronics
- Bauteilnummer: 2N7000

### Elektrische Eigenschaften:
- Maximale Drain-Source-Spannung (V_DS): 60 V
- Maximale Gate-Source-Spannung (V_GS): ±20 V
- Maximaler Drain-Strom (I_D): 200 mA
- Maximale Verlustleistung (P_D): 400 mW (bei 25 °C)
- R_DS(on): 0.5 Ω (bei V_GS = 10 V)
- Schwellenspannung (V_GS(th)): 2 - 4 V (bei I_D = 1 mA)

### Mechanische Eigenschaften:
- Gehäuse: TO-92
- Abmessungen:
- Höhe: 4.6 mm
- Breite: 4.4 mm
- Länge: 9.2 mm
- Gewicht: ca. 0.5 g

### Temperaturbereich:
- Betriebstemperatur: -55 °C bis +150 °C
- Lagertemperatur: -55 °C bis +150 °C

### Anwendungen:
Der 2N7000 wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter:
- Schaltanwendungen
- Verstärker
- Digitale Schaltungen
- Motorsteuerungen
- Signalverarbeitung

### Vorteile:
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Verlustleistung
- Hohe Zuverlässigkeit
- Einfache Ansteuerung durch niedrige Gate-Spannung

### Fazit:
Der STMicroelectronics 2N7000 ist ein äußerst vielseitiger N-Kanal-MOSFET, der sich ideal für verschiedene Anwendungen in der Elektronik eignet. Mit seinen robusten Spezifikationen und der Fähigkeit, in anspruchsvollen Umgebungen zu arbeiten, ist er eine beliebte Wahl für Ingenieure und Entwickler.