2N7002-13-F-79

Der Diodes Inc. 2N7002-13-F-79 ist ein N-Kanal-MOSFET, der für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik und Schaltungstechnik entwickelt wurde. Dieser Transistor bietet eine hohe Effizienz, schnelle Schaltzeiten und eine kompakte Bauweise, was ihn zu einer beliebten Wahl für Entwickler macht. Im Folgenden finden Sie eine detaillierte Beschreibung der Spezifikationen und Merkmale des 2N7002-13-F-79.

### Technische Spezifikationen:

1. Allgemeine Eigenschaften:
- Typ: N-Kanal-MOSFET
- Gehäusetyp: SOT-23
- Anzahl der Pins: 3

2. Elektrische Eigenschaften:
- Maximale Drain-Source-Spannung (V_DS): 60 V
- Maximale Gate-Source-Spannung (V_GS): ±20 V
- Maximale Drain-Strom (I_D): 200 mA
- R_DS(on) (Drain-Source-Widerstand): 0,5 Ω bei V_GS = 10 V

3. Schaltzeiten:
- Einschaltzeit (t_on): 30 ns (typisch)
- Ausschaltzeit (t_off): 50 ns (typisch)

4. Thermische Eigenschaften:
- Maximale Junction-Temperatur (T_J): 150 °C
- Thermal Resistance, Junction to Ambient (RθJA): 250 °C/W

5. Betriebstemperatur:
- Temperaturbereich: -55 °C bis +150 °C

### Merkmale:

- Hohe Effizienz: Der 2N7002-13-F-79 bietet eine niedrige Verlustleistung, was ihn ideal für Anwendungen macht, bei denen Energieeffizienz von entscheidender Bedeutung ist.

- Kompakte Bauweise: Das SOT-23-Gehäuse ermöglicht eine platzsparende Integration in verschiedene Schaltungen, was besonders in der modernen Elektronik von Vorteil ist.

- Schnelle Schaltzeiten: Mit schnellen Einschalt- und Ausschaltzeiten eignet sich dieser MOSFET hervorragend für Hochfrequenzanwendungen und Schaltregler.

- Robuste Leistung: Der Transistor ist für den Einsatz in rauen Umgebungen ausgelegt und bietet eine hohe Temperaturbeständigkeit, was ihn für industrielle Anwendungen geeignet macht.

### Anwendungen:

Der 2N7002-13-F-79 findet Anwendung in verschiedenen Bereichen, darunter:

- Schaltregler und DC-DC-Wandler
- Motorsteuerungen
- Signalverstärkung
- Automatisierungstechnik
- Verbraucherelektronik

### Fazit:

Der Diodes Inc. 2N7002-13-F-79 ist ein leistungsstarker und vielseitiger N-Kanal-MOSFET, der sich durch seine hohe Effizienz, schnelle Schaltzeiten und kompakte Bauweise auszeichnet. Mit seinen umfangreichen Spezifikationen und der Fähigkeit, in anspruchsvollen Umgebungen zu arbeiten, ist dieser MOSFET eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler, die zuverlässige Lösungen für moderne Anwendungen suchen. Die einfache Integration und die Unterstützung durch Diodes Inc. machen ihn zu einer idealen Komponente für eine Vielzahl von Projekten.