2N7000-D26Z
Active - MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
2N7000-D26Z Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
2N7000-D26Z Inventar: 45200
5.0 / 5.0
2021-11-15 15:01
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2021-08-13 03:21
Bestellt 30 Stück, Getestet, Funktion wie beschrieben. Erhalten innerhalb von 14 Tagen nach Auftragserteilung (kombinierter Standardversand in die Niederlande).
2021-11-11 09:14
Alles klar!! Der Verkäufer ist fantastisch ultraschnell!! Danke!!
2021-06-04 20:43
Todo entspricht der Reihenfolge.
2021-12-12 14:16
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France
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