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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N6693

2N6693

Active Icon Active - POWER BJT
2N6693
2N6693
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N6693 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
15 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
400 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V @ 3A, 15A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
15 @ 1A, 3V
Leistung - Max.
3 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-61

2N6693 Inventar: 5720

Geschichte Preis
$726.00000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Nienke de Haan
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-03-17 03:02
Lieferung nach Holland in 9 Tagen!! Toller Service
Author Icon
Anna Schmidt
Location Icon Germany
5 stars
2023-03-17 08:43
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand
Author Icon
Amelie Schwarz
Location Icon Germany
5 stars
2023-03-17 08:43
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand
Author Icon
Francesco De Luca
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-18 12:46
Alles ok wie beschrieben
Author Icon
Johann Müller
Location Icon Germany
5 stars
2023-03-17 08:54
Alles ausgezeichnet, sehr schneller Versand, danke

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