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2N6609

Active Icon Active - TRANS PNP 140V 16A TO204
2N6609
2N6609
NTE Electronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS PNP 140V 16A TO204
 
3D Model Icon

2N6609 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bag
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
16 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
140 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
4V @ 3.2A, 16A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
15 @ 8A, 4V
Leistung - Max.
150 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204 (TO-3)

2N6609 Beschreibung

### Einführung in den NTE Electronics 2N6609

Der NTE Electronics 2N6609 ist ein leistungsstarker NPN-Transistor, der häufig in verschiedenen elektrischen Anwendungen eingesetzt wird. Mit seiner hohen Strombelastbarkeit und schnellen Schaltgeschwindigkeit ist er ideal für die Verwendung in Leistungsschaltungen, Verstärkern und digitalen Schaltungen.

### Hauptmerkmale

1. NPN-Transistor: Der 2N6609 ist ein NPN-Transistor, der eine Vielzahl von Schaltungsanwendungen unterstützt.

2. Hohe Strom- und Spannungswerte: Dieser Transistor kann hohe Ströme und Spannungen bewältigen, was ihn für anspruchsvolle Anwendungen geeignet macht.

3. Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Mit einer schnellen Schaltgeschwindigkeit ist der 2N6609 besonders geeignet für Hochfrequenzanwendungen.

4. Robuste Konstruktion: Der Transistor ist für den Einsatz unter robusten Bedingungen ausgelegt und bietet eine hohe Zuverlässigkeit.

5. Einfache Handhabung: Der 2N6609 ist in einem Standard-DIP-Format erhältlich, was die Integration in verschiedene Schaltungen erleichtert.

### Spezifikationen

Hier sind die detaillierten technischen Spezifikationen des 2N6609:

- Typ: NPN
- Maximale Kollektor-Spannung (V_CEO): 60 V
- Maximaler Kollektor-Strom (I_C): 10 A
- Maximale Leistung (P_T): 65 W
- Verstärkungsfaktor (h_FE): 40 bis 320 bei I_C = 4 A
- Maximale Verlustleistung (P_C): 65 W
- Maximale Sperrschichttemperatur (T_J): 150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Schaltgeschwindigkeit: Typisch 30 ns
- Thermischer Widerstand (R_θJC): 3 °C/W

### Anwendungsbereiche

Der 2N6609 findet Anwendung in verschiedenen Bereichen, darunter:

1. Leistungsverstärker: In Audioverstärkern und anderen Hochleistungsverstärkern wird der 2N6609 häufig verwendet.

2. Schaltanwendungen: Aufgrund seiner hohen Schaltgeschwindigkeit eignet sich der Transistor hervorragend für Schaltanwendungen in der digitalen Elektronik.

3. Motorsteuerung: Der 2N6609 kann in Motorsteuerungsschaltungen eingesetzt werden, um Gleichstrommotoren oder Schrittmotoren zu steuern.

4. Stromversorgung: In der Leistungselektronik wird der Transistor oft in Netzteilen verwendet, um die Effizienz und Leistung zu verbessern.

### Vorteile

- Hohe Leistung: Der 2N6609 kann hohe Ströme und Spannungen verarbeiten, was ihn ideal für leistungsintensive Anwendungen macht.
- Zuverlässigkeit: Die robuste Konstruktion sorgt für eine lange Lebensdauer und Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen.
- Vielseitigkeit: Dank seiner flexiblen Einsatzmöglichkeiten ist der 2N6609 in vielen unterschiedlichen Anwendungen einsetzbar.
- Einfache Integration: Das Standardgehäuse erleichtert die Integration in bestehende Designs und Schaltungen.

### Fazit

Der NTE Electronics 2N6609 ist ein zuverlässiger und leistungsstarker NPN-Transistor, der sich hervorragend für eine Vielzahl von Anwendungen eignet. Mit seinen hohen Strom- und Spannungswerten, der schnellen Schaltgeschwindigkeit und der robusten Bauweise stellt er eine hervorragende Wahl für Ingenieure und Entwickler dar, die nach einer effektiven Lösung für ihre elektronischen Schaltungen suchen.

2N6609 Inventar: 15830

Geschichte Preis
$4.91000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Donna Scott
Location Icon United States
5 stars
2023-01-26 16:18
Produkt kam laut Ankündigung an
Author Icon
Hannah Lewis
Location Icon United States
5 stars
2023-01-24 14:27
Ich habe diese noch nicht getestet, um sicherzustellen, dass sie gut sind, aber eine genaue visuelle Untersuchung war vielversprechend.
Author Icon
Christopher Young
Location Icon United States
5 stars
2023-01-27 15:04
Diese Transistoren eignen sich hervorragend für experimentelle Projekte.
Author Icon
Lars Jensen
Location Icon Denmark
5 stars
2023-01-27 06:03
Sie kamen gut an.
Author Icon
Halina Włodarczyk
Location Icon Poland
5 stars
2023-01-25 00:36
Alles gemäß der Beschreibung. Verkäufer weiterempfehlen

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