2N6649
Active - PNP TRANSISTOR
Beschreibung:
PNP TRANSISTOR
2N6649 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 100μA, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 5A, 3V
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AA (TO-3)
2N6649 Inventar: 14980
5.0 / 5.0
2023-02-03 06:07
Sieht ok aus, noch nicht benutzt
2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD912-Transistoren mit einem hFE-Wert von 141 bis 157 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.
2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD911-Transistoren mit einem hFE-Wert von 44 bis 47 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.
2023-02-02 07:18
Guter Verkäufer. Vielen Dank.
2023-02-01 08:44
Alles ist in Ordnung.
United States
