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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N6691

2N6691

Active Icon Active - POWER BJT
2N6691
2N6691
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N6691 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
15 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V @ 3A, 15A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
15 @ 1A, 3V
Leistung - Max.
3 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-61

2N6691 Inventar: 46520

Geschichte Preis
$726.00000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Melissa Perez
Location Icon United States
5 stars
2023-03-27 06:30
Kam wie gewünscht. Qualitätsprodukt. Schnell angekommen und mit gutem Schutz. Ich empfehle und werde in Zukunft wieder kaufen.
Author Icon
Vanessa Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
Author Icon
Ugo Marino
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
Author Icon
Stanisław Kaczor
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
Author Icon
John Jones
Location Icon United Kingdom
5 stars
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A

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