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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N657S

2N657S

Active Icon Active - POWER BJT
2N657S
2N657S
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N657S Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Leistung - Max.
600 mW
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5AA

2N657S Inventar: 41120

Geschichte Preis
$38.83500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
Author Icon
Naomi Thompson
Location Icon United States
5 stars
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Author Icon
Émile Lecomte
Location Icon France
5 stars
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
Author Icon
Raffaella Esposito
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
Author Icon
Pietro Moretti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-20 14:42
Ware, die der Beschreibung entspricht und schneller Versand. Seriöser Verkäufer, empfehlenswert.

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