Kategorien
Neue Produkte
Qualitätskontrolle
Rezensionen
Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N6579

2N6579

Active Icon Active - POWER BJT
2N6579
2N6579
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N6579 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
12 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 500μA, 3mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
125 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AD (TO-3)

2N6579 Inventar: 7800

Geschichte Preis
$167.89500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Tiziana Rizzo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
Author Icon
Hugo Enrique Pérez
Location Icon Spain
5 stars
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
Author Icon
Mindaugas Egidijus
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
Author Icon
Ana Teresa
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
Author Icon
Sergio Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:54
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt

2N6579 Verwandte Teile

2N6609
2N6773
2N6609
2N6609
2N697
2N6678
2N6674
2N6677
2N697
2N6667
2N6036
2N6649
Angebotsanfrage
Teilenummer *
Hersteller
Kontaktperson *
E-Mail *
Anfrage Menge *
Lieferland *