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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N6546T1

2N6546T1

Active Icon Active - POWER BJT
2N6546T1
2N6546T1
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N6546T1 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
15 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
5V @ 3A, 15A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
12 @ 5A, 2V
Leistung - Max.
175 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AD (TO-3)

2N6546T1 Inventar: 16200

Geschichte Preis
$335.77500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Clara Torres
Location Icon Spain
5 stars
2023-05-29 11:55
Toller Verkäufer, schnelle Lieferung und ausgezeichnete Kommunikation.
Author Icon
Finn Brown
Location Icon United States
3 stars
2023-05-07 18:11
Angeordnet. Nie angekommen. Rückerstattung nach 3 Monaten.
Author Icon
Clara Martinez
Location Icon United States
5 stars
2023-05-28 05:08
Alle Artikel kamen perfekt verpackt und isoliert, habe ICs von diesem Verkäufer schon einmal gekauft und hatte nie irgendwelche Beschwerden, der Versand in die USA ist wirklich schnell.
Author Icon
Paul Neumann
Location Icon Germany
5 stars
2023-05-26 05:03
...
Author Icon
Sharon Evans
Location Icon United States
5 stars
2023-05-26 02:30
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