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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N6512

2N6512

Active Icon Active - POWER BJT
2N6512
2N6512
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N6512 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 800mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
10 @ 4A, 3V
Leistung - Max.
120 W
Frequenz - übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AD (TO-3)

2N6512 Inventar: 48460

Geschichte Preis
$75.69000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Mantas Pocius
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-02-01 08:44
Alles ist in Ordnung.
Author Icon
Marek Kaczmarek
Location Icon Poland
5 stars
2023-02-03 02:17
Ausgezeichnet, gute Qualität, schnelle Quittung empfehlen.
Author Icon
Flavia Rossi
Location Icon Italy
5 stars
2023-02-01 12:02
Perfekt, es ist okay. Danke
Author Icon
Enrico Moretti
Location Icon Italy
5 stars
2023-02-02 04:43
Tolles Produkt, zuverlässiger Verkäufer!
Author Icon
Carlo Marino
Location Icon Italy
4 stars
2023-02-03 05:51
sieht OK aus. Es hat über 2 Monate gedauert, bis es ankam.

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