2N6351E3
Active - POWER BJT
2N6351E3 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
150 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2.5V @ 10mA, 5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 5A, 5V
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃
Gehäuse / Hülle
TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-33
2N6351E3 Inventar: 15340
5.0 / 5.0
2023-03-02 22:07
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2023-03-01 01:18
In Übereinstimmung mit der Beschreibung. Es ist schwierig, die Referenzen der Komponenten auf den Stangen zu lesen.
2023-03-01 12:52
Sehr schnell und gute Qualität.
2023-02-28 05:11
Produkt laut Beschreibung
2023-02-27 07:35
Lieferung erhalten, Transistoren nicht ausgebreitet.
Italy
