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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N6322

2N6322

Active Icon Active - POWER BJT
2N6322
2N6322
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N6322 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
200 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
350 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AD (TO-3)

2N6322 Inventar: 25240

Geschichte Preis
$299.47500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Ana Teresa
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
Author Icon
Sergio Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:54
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt
Author Icon
Annelies de Wit
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-03-25 04:23
Alles wie bestellt, ich habe die Qualität nicht überprüft, aber das Aussehen und die Quantität entspricht der Beschreibung. Die Lieferung erfolgt schnell. Vielen Dank! (PS: Ja, ich bin eine Frau! Lassen Sie sich davon nicht verwirren!)
Author Icon
Éva Delaunay
Location Icon France
5 stars
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
Author Icon
Laura Salmi
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.

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