2N6301
Active - PNP TRANSISTOR
Beschreibung:
PNP TRANSISTOR
2N6301 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 80mA, 8A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
750 @ 4A, 3V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-213AA, TO-66-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)
2N6301 Inventar: 37660
5.0 / 5.0
2023-02-16 23:32
Alles in Ordnung, zuverlässiger Verkäufer wie immer.
2023-02-14 10:38
Gutes Produkt, das der Beschreibung entspricht und vertrauenswürdig seller.__Order Versand- und Lieferzeit in die Niederlande war vom 26. Januar bis heute 14 February.__Thank Sie Verkäufer für diese reibungslose und sehr schnelle Transaktion :)
2022-11-06 12:52
Na gut, kein Problem.
2023-02-14 03:12
Sehr gut, vielen Dank.
2023-02-14 12:37
Sehr geehrte Damen und Herren, aber was ist zu tun?
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