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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N6270

2N6270

Active Icon Active - POWER BJT
2N6270
2N6270
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N6270 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Leistung - Max.
262 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AD (TO-3)

2N6270 Inventar: 35540

Geschichte Preis
$99.87000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Paul Wright
Location Icon United States
5 stars
2023-01-26 16:09
Das Produkt kam wie angekündigt an.
Author Icon
Sofía Ortega
Location Icon Spain
5 stars
2023-01-25 00:36
Alles perfekt. Vielen Dank.
Author Icon
Lukas Schwarz
Location Icon Germany
5 stars
2023-01-24 00:19
Alles in bester Ordnung. Empfehlen.
Author Icon
Grace Adams
Location Icon United States
5 stars
2023-01-25 08:28
Großartige Chip-Good-Verpackung dauerte nur 3 Wochen in den Staaten
Author Icon
Benjamin Carter
Location Icon United States
5 stars
2023-01-27 10:43
Ausgezeichnet, sehr schnell gesendet

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