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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  Microchip Technology 2N6251

2N6251

Active Icon Active - NPN TRANSISTOR
2N6251
2N6251
Microchip Technology
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
NPN TRANSISTOR
 
3D Model Icon

2N6251 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 1.67A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
6 @ 10A, 3V
Leistung - Max.
6 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204AA (TO-3)

2N6251 Beschreibung

## Allgemeine Beschreibung

Der 2N6251 von Microchip Technology ist ein NPN-Leistungstransistor, der für Hochstrom- und Hochleistungsanwendungen ausgelegt ist. Dieser Transistor eignet sich besonders für Schalt- und Verstärkerschaltungen in industriellen, Energieversorgungs- und Motorsteuerungsanwendungen. Die robuste Konstruktion ermöglicht den Betrieb unter hohen Spannungen und Strömen, während die thermische Stabilität einen zuverlässigen Dauerbetrieb sicherstellt.

## Halbleiterstruktur und Gehäuse

* NPN-Leistungstransistor
* Gehäusetyp: TO-3, optimiert für Hochstromanwendungen
* Anschlussbelegung: Basis (B), Kollektor (C), Emitter (E)
* Geeignet für Durchsteckmontage und Kühlkörpermontage
* Robuste Halbleiterstruktur für industrielle Anforderungen

## Elektrische Eigenschaften

* Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo): 140 V maximal
* Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo): 140 V maximal
* Emitter-Basis-Spannung (Vebo): 5 V maximal
* Kollektorstrom (Ic) kontinuierlich: 20 A
* Spitzen-Kollektorstrom (Ic peak, 10 ms Puls): 40 A
* Stromverstärkung (hFE) typisch: 40 bis 160 bei Ic = 10 A, Vce = 10 V
* Verlustleistung (Ptot): 200 W bei ausreichender Kühlung
* Sperrschichttemperatur: -65°C bis +200°C

## Thermische Eigenschaften

* Thermischer Widerstand Gehäuse zu Umgebung (RthJC): 0,75 °C/W typischer Wert
* Maximale Gehäusetemperatur: 200°C
* Empfohlene Montage auf Kühlkörper für den Dauerbetrieb bei hohen Strömen
* Hohe thermische Trägheit reduziert Temperaturschwankungen bei Lastspitzen

## Schalt- und dynamische Eigenschaften

* Transitfrequenz (fT): 1,5 MHz bei Ic = 10 A, Vce = 10 V
* Basis-Emitter-Aufbau ermöglicht schnelle Ansteuerung
* Geeignet für lineare Verstärkung und Schaltanwendungen
* Robust gegenüber Spannungs- und Stromspitzen

## Anwendungen

* Motorsteuerungen in Industrie- und Haushaltsgeräten
* Netzteile und Spannungsregler
* Relais- und Schützansteuerungen
* Audioverstärker und Leistungsendstufen
* Hochstrom-Schaltanwendungen in Energieversorgungsgeräten

## Besondere Merkmale

* Hohe Strombelastbarkeit für anspruchsvolle Lasten
* Geringe Sättigungsspannung bei hohen Kollektorströmen
* TO-3-Gehäuse für effiziente Wärmeableitung
* Langfristige Zuverlässigkeit unter industriellen Betriebsbedingungen

Der 2N6251 bietet eine Kombination aus hoher Stromkapazität, robuster thermischer Stabilität und zuverlässiger Verstärkung, wodurch er ideal für Hochstromanwendungen, Motorsteuerungen und industrielle Leistungsverstärker geeignet ist.

2N6251 Inventar: 19960

Geschichte Preis
$139.87500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Tiziana Rizzo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
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Hugo Enrique Pérez
Location Icon Spain
5 stars
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
Author Icon
Mindaugas Egidijus
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
Author Icon
Ana Teresa
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
Author Icon
Sergio Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:54
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt

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