IRFDC20
Obsolete - MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
IRFDC20 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
320mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4.4Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
18 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
350 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-HVMDIP
Gehäuse / Hülle
4-DIP (0.300", 7.62mm)
France
