IRF1010EL
Obsolete - MOSFET N-CH 60V 84A TO262
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 84A TO262
IRF1010EL Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
84A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3210 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
IRF1010EL Inventar: 32920
5.0 / 5.0
2021-08-02 07:24
Filzmarkierung auf der Verpackung nicht sehr gut lesbar (Verwechslungsgefahr ) ! Passen Sie sich ohne das an! Vielen Dank, Verkäufer!
2021-08-12 12:06
IGBT-Transistoren nicht erkannt SA für Testerach neben plus t7-h, in tescie für przelaczanie mit-12V für E plus zarowka gespeist 12V für C getriggert Finger mit Plus, zalancza mit-wylancza. Sehr schnelle wysylka, schnelle Lieferung, Produkt gut jakosci, sehr wir
2021-12-31 23:06
Gutes Produkt und funktionieren korrekt.
2021-07-09 02:45
Gut angekommen, noch nicht getestet
2021-12-03 00:22
Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.
France
