IRFD214
Active - MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
IRFD214 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
450mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2Ohm @ 270mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.2 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
140 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-HVMDIP
Gehäuse / Hülle
4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFD214 Inventar: 37510
5.0 / 5.0
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
2023-03-20 09:32
Nun, 50 Stück. Toll für den Preis!
2023-03-21 12:55
Im Zoll feststecken
United States
